半导体设备包括哪些(半导体的设备)
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半导体设备一般指生产各类半导体产品所需的生产设备，属于半导体产业链的关键支撑环节。半导体设备是半导体行业的技术龙头，芯片设计、晶圆制造、封装测试都需要在设备技术允许的范围内设计制造。
设备的技术进步反过来促进半导体产业的发展。
以半导体产业链中技术难度最高、附加值最大、工艺最复杂的集成电路为例，集成电路领域使用的设备通常可以分为两类：前者工艺设备(晶圆制造)和后者工艺设备(封装测试)。
其中，之前晶圆制造的七个步骤是氧化/扩散、光刻、刻蚀、清洗、离子注入、薄膜生长和抛光。每个步骤中使用的半导体设备如下：
一.氧化/扩散/退火
氧化是将硅片置于氧气或水蒸气等氧化剂气氛中进行高温热处理，硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指利用热扩散原理，在高温条件下根据工艺要求将杂质元素掺杂到硅衬底中，使其具有特定的浓度分布。
从而改变硅材料的电特性；退火是指对离子注入后的硅片进行加热，修复离子注入造成的晶格缺陷的过程。
1.扩散炉
扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光纤中的扩散、氧化、退火、合金化和烧结。扩散工艺的主要目的是在高温下对半导体晶片进行掺杂，即将元素磷和硼扩散到硅片中。
从而改变和控制半导体中杂质的种类、浓度和分布，建立不同的电学特性区域。
2.氧化炉
为半导体材料的氧化处理提供所需的氧化气氛，实现半导体设计预期的氧化处理，是半导体加工过程中不可缺少的环节。
3.退火炉
一种用于制造半导体器件的工艺设备，包括加热多个半导体晶片以影响它们的电特性。热处理是为不同的效果而设计的。可以加热晶片以活化掺杂剂，将薄膜转化为薄膜或将薄膜转化为晶片衬底界面，制造致密沉积的薄膜，
改变生长薄膜的状态、修复注入损伤、移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜转移到晶片衬底中。
第二，光刻
生产平面晶体管和集成电路的主要工艺是在半导体晶片表面的掩膜(如二氧化硅)上打孔，用于杂质的局部扩散。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
1. 涂胶显影设备
涂胶显影设备是利用机械手实现晶圆在各系统间的传输和加工，与光刻机达成完美配合从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影等工艺过程。作为光刻机的输入即曝光前光刻胶涂覆和输出即曝光后图形的显影，
涂胶显影机的性能不仅对细微曝光处的形成造成直接影响，而且其显影工艺的图形质量和误差控制对后续蚀刻、离子注入工艺中的图形转移结果也有着深刻的影响。
2. 光刻设备
通俗来说就是光刻机（mask aligner） ，又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
光刻机是生产大规模集成电路的核心设备，需要掌握深厚的光学和电子工业技术，世界上只有少数厂家掌握，而且光刻机价格昂贵，通常在3 千万至5 亿美元。
3. 对准检测设备
对准检测设备主要用于光刻工艺中掩模板与晶圆的对准、芯片键合时芯片与基板的对准、表面组装工艺中元器件与pcb基板的对准，也应用于各种加工过程中，如晶圆测试、晶圆划片、各种激光加工工艺中等。
精密检测技术是对准检测的基础，检测方法主要有光学检测法和光电检测法。
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半导体设备一般指生产各类半导体产品所需的生产设备，属于半导体产业链的关键支撑环节。半导体设备是半导体行业的技术龙头，芯片设计、晶圆制造、封装测试都需要在设备技术允许的范围内设计制造。
设备的技术进步反过来促进半导体产业的发展。
以半导体产业链中技术难度最高、附加值最大、工艺最复杂的集成电路为例，集成电路领域使用的设备通常可以分为两类：前者工艺设备(晶圆制造)和后者工艺设备(封装测试)。
其中，之前晶圆制造的七个步骤是氧化/扩散、光刻、刻蚀、清洗、离子注入、薄膜生长和抛光。每个步骤中使用的半导体设备如下：
一.氧化/扩散/退火
氧化是将硅片置于氧气或水蒸气等氧化剂气氛中进行高温热处理，硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指利用热扩散原理，在高温条件下根据工艺要求将杂质元素掺杂到硅衬底中，使其具有特定的浓度分布。
从而改变硅材料的电特性；退火是指对离子注入后的硅片进行加热，修复离子注入造成的晶格缺陷的过程。
1.扩散炉
扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光纤中的扩散、氧化、退火、合金化和烧结。扩散工艺的主要目的是在高温下对半导体晶片进行掺杂，即将元素磷和硼扩散到硅片中。
从而改变和控制半导体中杂质的种类、浓度和分布，建立不同的电学特性区域。
2.氧化炉
为半导体材料的氧化处理提供所需的氧化气氛，实现半导体设计预期的氧化处理，是半导体加工过程中不可缺少的环节。
3.退火炉
一种用于制造半导体器件的工艺设备，包括加热多个半导体晶片以影响它们的电特性。热处理是为不同的效果而设计的。可以加热晶片以活化掺杂剂，将薄膜转化为薄膜或将薄膜转化为晶片衬底界面，制造致密沉积的薄膜，
改变生长薄膜的状态、修复注入损伤、移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜转移到晶片衬底中。
第二，光刻
生产平面晶体管和集成电路的主要工艺是在半导体晶片表面的掩膜(如二氧化硅)上打孔，用于杂质的局部扩散。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
1. 涂胶显影设备
涂胶显影设备是利用机械手实现晶圆在各系统间的传输和加工，与光刻机达成完美配合从而完成晶圆的光刻胶涂覆、固化、显影等工艺过程。作为光刻机的输入即曝光前光刻胶涂覆和输出即曝光后图形的显影，
涂胶显影机的性能不仅对细微曝光处的形成造成直接影响，而且其显影工艺的图形质量和误差控制对后续蚀刻、离子注入工艺中的图形转移结果也有着深刻的影响。
2. 光刻设备
通俗来说就是光刻机（mask aligner） ，又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
光刻机是生产大规模集成电路的核心设备，需要掌握深厚的光学和电子工业技术，世界上只有少数厂家掌握，而且光刻机价格昂贵，通常在3 千万至5 亿美元。
3. 对准检测设备
对准检测设备主要用于光刻工艺中掩模板与晶圆的对准、芯片键合时芯片与基板的对准、表面组装工艺中元器件与pcb基板的对准，也应用于各种加工过程中，如晶圆测试、晶圆划片、各种激光加工工艺中等。
精密检测技术是对准检测的基础，检测方法主要有光学检测法和光电检测法。
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