固态硬盘近为什么降价了(固态硬盘价格为什么一直比较高)
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1999年，东芝180nm制造了容量为256mb的闪存。2015年，在15nm工艺下，闪存单个管芯的容量增加了64倍，达到16gb。与晶体管数量每18-24个月翻一番的摩尔定律相比，
闪存容量增长速度已经落后。
在2014年的闪存峰会上，美光表示3d闪存可以让闪存回归摩尔定律，但现在基本上已经失效：闪存并没有因为3d工艺的应用而大幅降价，反而掀起了一波涨价潮。
其实遇到问题的不仅仅是nand闪存，同样遇到技术瓶颈的还有dram存储器。各大原厂的更新进程进度普遍低于预期，各种拖延已成家常便饭。
英特尔已经在14nm工艺节点停留了三代，一直处于修修补补的状态，拿出10nm芯片也比较慢。平板闪存方面，东芝已经发展到15nm工艺，sk海力士是14nm，和当代cpu工艺基本一致。
更先进的工艺(10nm~3nm)需要euv极紫外光刻的支持，euv技术花了很多年，直到现在才刚刚达到实验室条件下适合量产的水平。虽然使用euv平版印刷术的新设备很昂贵，
工作状态消耗的电能是目前氩氟激光器的10倍以上。由于euv光刻术的能量转换效率仅为约0.02%，所以输出为250瓦的euv掩模对准器每天将消耗30，000千瓦时。对于euv平版印刷术，
tsmc已经表示希望在未来，越少使用工艺技术越好，因为它太贵了！
既然工艺升级空间小，那么2d到3d的转换效果如何？在2d闪存时代，通过工艺升级可以实现近似指数增长，而在3d时代，只会有线性增长，因为原则上3d是垂直堆叠。
而不是2d闪存工艺升级时长度、宽度、尺寸的同步进步。3d闪存确实是未来的发展方向，但不是万能的。
无论如何，3d技术在工艺小型化的情况下，还是可以做一些成本上的提升，尤其是超过64层的3d堆叠闪存：东芝在2007年首次公布了3d闪存，而今年大规模投入使用的正是64层堆叠技术。
除了将原有的fab 2和fab 5升级为3d技术，东芝还计划新建fab 6:新工厂从一开始就以3d闪存制造为目标。
除了3d堆叠，qlc才是未来真正能降低闪存价格的方向：东芝的64层堆叠bics gen 3闪存量产并很快宣布96层bics 4闪存和3d qlc技术。
相比3d堆叠，qlc其实更可靠的是降低成本，前提是有优秀的技术解决寿命问题：作为闪存的发明者，东芝是第一个宣布qlc的。
借助更高的堆叠层数和qlc每个存储单元额外的1-1位存储容量，东芝可以将当前最大闪存容量从512gb增加到768gb。如果使用16管芯封装，
单个闪存粒子可以有1.5tb的存储容量！东芝还承诺，3d qlc将提供1000次以上的擦除寿命，几乎相当于现在的tlc闪存，不会让你等太久：明年晚些时候就会出现。
有些玩家可能还会想到intel和美光联合开发的3d xpoint，但它主要是针对高性能领域的，可能会被还不错的企业级应用使用，而在消费级大容量固态硬盘中，
大家都看到了，英特尔16g骁龙内存(闪存盘)的失败，对降低价格毫无帮助。
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而不是2d闪存工艺升级时长度、宽度、尺寸的同步进步。3d闪存确实是未来的发展方向，但不是万能的。
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除了将原有的fab 2和fab 5升级为3d技术，东芝还计划新建fab 6:新工厂从一开始就以3d闪存制造为目标。
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相比3d堆叠，qlc其实更可靠的是降低成本，前提是有优秀的技术解决寿命问题：作为闪存的发明者，东芝是第一个宣布qlc的。
借助更高的堆叠层数和qlc每个存储单元额外的1-1位存储容量，东芝可以将当前最大闪存容量从512gb增加到768gb。如果使用16管芯封装，
单个闪存粒子可以有1.5tb的存储容量！东芝还承诺，3d qlc将提供1000次以上的擦除寿命，几乎相当于现在的tlc闪存，不会让你等太久：明年晚些时候就会出现。
有些玩家可能还会想到intel和美光联合开发的3d xpoint，但它主要是针对高性能领域的，可能会被还不错的企业级应用使用，而在消费级大容量固态硬盘中，
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